Tranzistorové drivery v konfiguraci výstupu high & low side

Nabídka firmy TME se rozšířila o další integrovaný obvod IX2113 firmy IXYS. Jeho úkolem je ovládat hradlo tranzistoru typu MOSFET nebo IGBT, kde je důležitá velká rychlost přepínání. Výstupní obvod má dva nezávislé kanály pro dolní a horní stranu (high & low side). Oba s proudovou kapacitou 2A.

Driver je extrémně trvanlivý a prakticky odolný vůči nestabilním stavům napětí du/dt. To vše díky použití technologického procesu high-voltage BCDMOS na podložce SOI (silicon on insulator, tj. křemík na izolátoru), který firma IXYS použila. BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) je klíčová technologie ve výkonových integrovaných obvodech. V jednom chipu se spojují přednosti bipolárních obvodů pro analogová řešení, obvodů CMOS pro číslicové aplikace, obvodů DMOS pro vysoká napětí a výkony.

Jiné vlastnosti:

• Odolnost vůči nestabilním stavům napětí du/dt
• Kompatibilita s logikou pracující při napětí ve standardu 3,3 V
• UVLO (UnderVoltage LockOut) – blokování obou výstupů pro dolní a horní stranu při poklesu napětí 

Napěťová třída:	+600 V
Proudová kapacita:	-2 A/+2 A
Soulad zpoždění průchodu signálu:	20 ns

 
Prohlédněte si IX2113 v provedení SMD a THT »

 

Označení	Popis
IX2113B	IC:driver;high-/low-side,hradlový budič;-2÷2A;Kanály:2
IX2113G	IC:driver;high-/low-side,hradlový budič;-2÷2A;Kanály:2

2020071502 / 15.07.2020 / Elektronické součástky / TME Czech Republic s.r.o. /